Б. П. Вонг, А. Миттал, Ю. Цао, Г. Старр — Knigausa Bookstore: Russian Books https://knigausa.com Just another WordPress site Mon, 06 Jan 2025 06:35:20 +0000 ru-RU hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.7.5 Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Вонг Б.П., Миттал А. и др. https://knigausa.com/product/%d0%bd%d0%b0%d0%bd%d0%be-%d0%ba%d0%bc%d0%be%d0%bf-%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d1%8b-%d0%b8-%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b5%d0%ba%d1%82%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d0%bd%d0%b8%d0%b5-%d0%bd%d0%b0-%d1%84%d0%b8/ https://knigausa.com/product/%d0%bd%d0%b0%d0%bd%d0%be-%d0%ba%d0%bc%d0%be%d0%bf-%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d1%8b-%d0%b8-%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b5%d0%ba%d1%82%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d0%bd%d0%b8%d0%b5-%d0%bd%d0%b0-%d1%84%d0%b8/#respond Mon, 06 Jan 2025 06:35:09 +0000 https://knigausa.com/product/%d0%bd%d0%b0%d0%bd%d0%be-%d0%ba%d0%bc%d0%be%d0%bf-%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d1%8b-%d0%b8-%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b5%d0%ba%d1%82%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d0%bd%d0%b8%d0%b5-%d0%bd%d0%b0-%d1%84%d0%b8/ Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил…Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

]]> https://knigausa.com/product/%d0%bd%d0%b0%d0%bd%d0%be-%d0%ba%d0%bc%d0%be%d0%bf-%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d1%8b-%d0%b8-%d0%bf%d1%80%d0%be%d0%b5%d0%ba%d1%82%d0%b8%d1%80%d0%be%d0%b2%d0%b0%d0%bd%d0%b8%d0%b5-%d0%bd%d0%b0-%d1%84%d0%b8/feed/ 0 1829874