https://knigausa.com Just another WordPress site Wed, 05 Feb 2025 20:36:27 +0000 ru-RU hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.7.2 https://knigausa.com/product/%d1%82%d0%b2%d0%b5%d1%80%d0%b4%d0%be%d1%82%d0%b5%d0%bb%d1%8c%d0%bd%d0%b0%d1%8f-%d1%8d%d0%bb%d0%b5%d0%ba%d1%82%d1%80%d0%be%d0%bd%d0%b8%d0%ba%d0%b0-%d0%b8%d0%b7%d0%b4-3-%d0%b4%d0%be%d0%bf-%d1%83%d1%87/ Wed, 07 Feb 2024 12:59:05 +0000 https://knigausa.com/product/%d1%82%d0%b2%d0%b5%d1%80%d0%b4%d0%be%d1%82%d0%b5%d0%bb%d1%8c%d0%bd%d0%b0%d1%8f-%d1%8d%d0%bb%d0%b5%d0%ba%d1%82%d1%80%d0%be%d0%bd%d0%b8%d0%ba%d0%b0-%d0%b8%d0%b7%d0%b4-3-%d0%b4%d0%be%d0%bf-%d1%83%d1%87/ В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах.В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких…В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах.В третьем издании добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах.Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.3-е издание, дополненное.

]]> 1577468