Нет в наличии

Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Вонг Б.П., Миттал А. и др.

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны…

ID: 1829874 Артикул: 174811 Категория:

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил…Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

Вес25.3 унция
Габариты8.5 × 5.7 × 1.0 дюйм
handling_time

14 days

стандарт

5

ISBN

978-5-94836-377-6

EAN

9785948363776

формат

70×100/16

Издательство

Серия

переплет

Твердый переплет

Автор

дата-получения

11.03.2014

Год выпуска

количество-страниц

432

SKU

185488

формат-ммсм

170×240

Язык

тип-издания

Отдельное издание

тираж

1000

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Вонг Б.П., Миттал А. и др.”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *